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    LPCVD 镀膜机

    LPCVD 镀膜机

    产品特点 1.成热的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术:
    2.具备多种镀膜技术：多层复合膜，掺杂多晶硅技术;
    3.专利快速降温炉体：最新专利技术使炉体温度快速降到所需温度，降温速率提升25%以上，明显提升炉管内温度均匀性；
    4.快速自适应压力闭环控制技术；
    5.架构完整，性能突出的MES/CCRM系统；
    6.一体化工控机+模块化工艺控制软件；
    7.全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

    产品应用

    适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon工艺电池，LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备。热氧和淀积Poly层两个工艺合二为一能够大幅度提高产能，同时兼容i/d -Poly生长工艺。

    产品参数

        项目

     技术指标

    成膜种类

    SiOx, i/d-Poly-Si

    装片尺寸

    垂直装片方式：2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)

    膜厚均匀性

    Si0x均匀性：厚度1-3nm可调，精度0.1nm,用抛光片测试SiOx厚度；
      Poly均匀性：厚度50-200nm可调，精度1nm,用抛光片测试Poly厚度，片内：≤4%,;片间≤4%;批间≤3%(>100nm时)

    UP-TIME

    ≥95%

                                 工作温度范围                              

    400-750℃

    温度控制

    6点控温，内外双模控制

                                       升温方式                                 

    自动斜率升温及快速恒温功能

    降温方式

    最新专利技术，6温区分段控制主动降温炉体

                         恒温区精度及长度                         

    ±1℃/2800mm(550-700℃)

    单点温度稳定度

    1±℃/6H

    升温时间

    RT→750℃≤45min

    降温速率

    ≥5℃/min

                                       温度控制                                     

    双模精确控制

     系统极限真空度

    <3Pa

        系统漏气率      

    停泵关阀后压力升率<2Pa/min

    压力控制方式

    快速调整全自动闭环

                             工艺控制式                       

    工艺过程全自动控制，多重安全连锁报警

    人机交互界面

    LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能

    MES/CCRM

    具有


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